LEEM-8 Magnetoresistive Effect Eksperimental Aparatı

Qısa Təsvir:

Qeyd: osiloskop daxil deyil

Cihaz quruluşca sadədir və məzmunca zəngindir.O, iki növ sensordan istifadə edir: maqnit induksiya intensivliyini ölçmək üçün GaAs Hall sensoru və müxtəlif maqnit induksiya intensivliyi altında InSb maqnit müqavimət sensorunun müqavimətini öyrənmək üçün.Tələbələr tədqiqat və dizayn təcrübələri ilə xarakterizə olunan yarımkeçiricinin Hall effekti və maqnit müqavimət effektini müşahidə edə bilərlər.

Bizə e-poçt göndərin

Məhsul təfərrüatı

Məhsul Teqləri

Təcrübələr

1. InSb sensorunun tətbiq olunan maqnit sahəsinin intensivliyinə qarşı müqavimət dəyişməsini öyrənin;empirik formulunu tapın.

2. InSb sensor müqavimətini maqnit sahəsinin intensivliyi ilə müqayisə edin.

3. Zəif maqnit sahəsi altında InSb sensorunun AC xüsusiyyətlərini öyrənin (tezliyin ikiqat artması effekti).

Spesifikasiyalar

Təsvir	Spesifikasiyalar
Maqnit müqavimət sensorunun enerji təchizatı	0-3 mA tənzimlənir
Rəqəmsal voltmetr	diapazon 0-1.999 V qətnamə 1 mV
Rəqəmsal milli-Teslametr	diapazon 0-199,9 mT, ayırdetmə qabiliyyəti 0,1 mT